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硅电容器
硅电容器


介绍：硅电容器，简称Si-Cap，是指以硅材料为介电层，采用半导体制造工艺制作而成的电容器。启芯微纳定制硅电容，采用深硅和半导体工艺生产的，满足高频率和高击穿强度两方面要求，提供高可靠性，以及对于温度和电压的静电容量稳定性。击穿强度高至150V，实现了在-55℃到150℃的工作温度范围内0.02%/V和70ppm/K的漂移。满足对高性能、高密度、低高度的电容需求越来越迫切，硅电容作为 MLCC 的高端替代产品当前广泛应用于电源去耦，高频高速传输等领域。
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