刻蚀
定义：用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂一致的图形，实现图形转移。
· 湿法腐蚀 | 包含碱性KOH，TMAH、金腐蚀等腐蚀和酸性HF，BOE，HCI，HNO3，H2SO4，HAc等腐蚀 |
· 光刻胶剥离 | 丙酮，异丙醇 |
· ICP刻蚀（电感耦合等离子刻蚀） | GaN，GaAs，InP |
· 深硅刻蚀DRIE | 刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1 |
· 深氧化硅刻蚀 | 石英，玻璃，硅，刻蚀形貌：90°±1° |
· IBE刻蚀（离子束刻蚀） | 用于较难刻蚀的金属或其他物质 |
· RIE刻蚀（反应离子刻蚀） | Si，SiO₂，SiNx |
· Plasma（灰化） | 光刻胶，PI（聚酰亚胺） |
