定义:镀膜工艺是一种在半导体器件表面形成致密薄膜层的技术。MEMS中薄膜分为金属薄膜、介质薄膜和半导体薄膜,沉积方式包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)
· LPCVD(低压化学气相沉积) | SiNx,Poly-Si 片内均匀性:<±5% |
· PECVD(等离子增强 化学气相沉积) | SiO₂,SiNx,a-Si(B,P掺杂) |
· ICPCVD(感应耦合 化学气相沉积) | SiO₂,SiNx |
· PEALD(原子层沉积) | Al2O3、HfO2、AlN、ZrO2、SiO2、TiN、TiO2 |
· 光学镀膜 | SiO2、MgF2、ITO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3 |
· PVD(溅射沉积) | Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Pt、Zn、Mo、W、Ta、Ru、Si、SiC、NiCr20、Nb |
· 电子束蒸发 | Ti,Al,Ni,Ag,Cu,Cr,Sn,Pt,AuGe |
· 热蒸发 | Sn,AuSn,Ag,Au,In,Al,Cr,Cu,Ti |