光刻
定义：光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到晶圆上。其原理与照相相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片与感光涂层。
· 接触式光刻（MA6/BA6） | 最小线宽：1μm，套刻精度：±0.5μm |
· 步进式光刻（Stepper i7/i10/i12） | 最小线宽：0.35μm 套刻精度≤0.15μm，2inch、4inch及6inch晶圆 |
· 电子束光刻 | 最小线宽：50nm，套刻精度：40nm 曝光范围<直径75mm， 样品大小：15mm*15mm、20mm*20mm、2inch、3inch、4inch。 光刻胶种类：PMMA A2、PMMA A4、PMMA A8 |
· 背面套刻（MA6/BA6） | 最小线宽：1μm，正面套刻精度：±0.5μm 背面套刻精度：±2μm |
