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外延和掺杂


定义:外延是指在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,在MEMS中常用的方法是金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。掺杂是指在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化,MEMS工艺的常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入。

工艺能力


· 金属有机物化学气相沉积

GaN,GaAs

· 化学气相沉积

SIC

· 离子注入

B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si

· 高温氧化

1150℃

· 高温扩散/退火

900℃-1100℃

· 快速退火

150℃-1000℃



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