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切割和减薄
切割和减薄


定义：切割是指在MEMS工艺流程的末端将晶片最终变成独立的芯片或晶粒的过程。减薄是通过去除半导体片的衬底或衬底一部分来减少器件的厚度。

工艺能力


· 研磨/减薄

Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等；均匀性：±2um

· 抛光

Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等；表面粗糙度：1-50nm

· 激光切割

Si基MEMS产品，样品厚度：100-700μm， 切割宽度：≤10μm， 样品尺寸：8寸（向下兼容）

· 刀片切割

8英寸卡盘，不同材料选用不同刀片Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，电路板

· 解理机

GaAs，InP



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